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西安电子科技大学研发新一代通信芯片材料

发表时间:2019-03-04 18:07

  西安新闻网讯(记者 姜泓)记者28日从西安电子科技大学获悉,国产化5G通信芯片用氮化镓材料日前在西电芜湖研究院试制成功,这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片有望用上国产材料。

  据介绍,氮化镓半导体材料具有宽带隙、高热导率、低介电常数、高电子饱和漂移速度、强抗辐射能力和良好化学稳定性等优越物理化学性质,成为继第一代半导体硅、第二代半导体砷化镓之后制备新一代微电子器件和电路的关键材料,特别适合于高频率!

  依托于西电宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,西电芜湖研究院技术总监陈兴表示,力争早日推向市场。下一步他们将尽快将这项技术商用,将助力5G通信制造领域的国产化进程。西安电子科技大学芜湖研究院,研究院目前已经掌握了氮化镓材料的生产和5G通信芯片的核心设计与制造能力,研发出全国产的基于碳化硅衬底的氮化镓材料。